当前芯片短缺，俨然已成为制约中国国内半导体产业发展的首要问题。长久以来国内制造商在芯片方面严重依赖进口，每年在进口芯片方面的花费就远超石油，高达万亿之巨。

此外，加上漂亮国突然多次修改规则，给中国国内华为等企业的发展带来了困难。尽管华为可以自主开发各种芯片，但其开发的芯片大部分却只能交给台积电代为生产。

不过，因为漂亮国修改了规则，在未经许可的情况下，台积电不能自由发货。其结果是，华为海思的麒麟9000等芯片无法顺利生产。就算华为具有开发设计世界一流芯片的能力，但我们国内无法制造出来，一切都是空谈。

正因为如此，我们也终于认识到芯片开发、芯片制造等关键技术必须要掌握在自己手中，所以国内企业、研发机构纷纷攻关芯片等高精尖技术。

于是华为公开宣布全面进入半导体领域，不仅要研究各领域所需的芯片，而且要突破终端制造、新型材料等方面的技术瓶颈，甚至还准备自主芯片生产线。

不仅如此，为了更好更快地发展芯片技术，我们国内还把集成电路专门分出来，让其成为独立学科，旨在2025年实现芯片自给率达到70%的目标。

现在，在国内多方共同努力之下，我们中国终于在芯片等高精尖技术方面也有了新的进展，在中国芯的自主之路上迈出了重要一步。

3个关乎中国芯的好消息，超车正在上演

根据最新消息，我国国内大型企业和研发机构开始攻关芯片半导体技术至今，中国芯也终于迎来了三个好消息，关乎7nm芯片的风险试产、更先进的光刻机光源技术和光量子芯片。

首先，中芯国际即将实现7nm芯片的风险试产。

中芯国际是国内芯片制造技术最先进的企业，3年内完成了5代芯片开发任务，进度远远超过了其他制造商。

其中，中芯国际的14nm工艺芯片的良品率已经达到业内水平，自我研究的N+1工艺芯片已经小规模批量生产。

最重要的是，在2020年年底，中芯国际的梁孟松博士就已完成了7nm芯片的开发任务，并预计将于2021年4月进行风险试产。

在2021年年初中芯国际召开的发表会上，梁孟松博士更是没有出席，他表示正在加紧进度，保证7nm芯片在4月份试制风险。

现在是3月，还有一个月的时间，中芯国际就将开始风险试产7nm芯片。一旦试制成功，中国芯将会缓解国内芯片短缺所带来的压力。因为到那时，7nm以上工艺的芯片我们可以自主开发制造。

其次，在光刻机的光源技术方面，我们也取得了新的进展。

众所周知，光刻机是当前全球范围内制造芯片的必要设备，特别是高级EUV光刻机，缺少了它，就不能制造7nm及以下工艺的芯片。

而高级EUV光刻机与普通光刻机的最大区别，主要就在于光源技术的不同，光源技术越先进，光刻机的精度就越高，芯片工艺的精度也越高。