5nm芯片于去年实现了量产，今年可能会量产4nm芯片，而3nm将在明年量产，甚至2nm工艺也提上了量产日程，甚至台积电还在攻克1nm的制造节点了。
虽然2nm、1nm这些还很远，但3nm可是真正的看得见，明年就会推出，且随着三星使用全新的GAAFET晶体管技术，可以说全新的3nm芯片战已经打响了。
可惜的是，这场事关全球科技产业的3nm芯片战，却与中国无关，我们没有资格参与其中，主角是台积电、三星、intel。
先说说台积电，其实在去年量产5nm芯片的时候，台积电就已经有了3nm芯片的量产计划，表示将在2022年实现量产。
而在3nm芯片量产之前，前段时间台积电还放了一个大卫星，那就是在1nm芯片材料上取得了巨大突破，台积电与台湾大学和美国麻省理工学院（MIT）合作，发现二维材料结合半金属铋（Bi）能达到极低的电阻，接近量子极限，可以满足1nm制程的需求。
接着说三星，三星在前不久直接发布了全球首颗3nm芯片，虽然这是一颗SDRM芯片，相对简单，但代表着三星基本上已经掌握了这种技术。
更激进的是，三星在这颗3nm的芯片中，采用了GAAFET晶体管技术，这是一种全新的技术，比台积电3nm采用的FinFET晶体管技术更先进，很明显，三星想在3nm时翻身，甚至打败台积电。
最后说说intel，虽然intel还处在10nm，但intel的技术共享合作伙伴IBM前段时间推出了一颗2nm的芯片，同样采用的是GAAFET晶体管技术。
让本来已经落后于台积电、三星的intel，是没有资格参与3nm芯片战的，但因为IBM也迎来了在3nm时代追上台积电、三星的机会，因为IBM现在会将制造交给intel，IBM的2nm芯片技术也会共享给intel，于是也间接相当于intel有了相应的技术储备。
当然，真正全部量产3nm，还要攻克晶体管架构、半导体材料，以及制造设备等几道难关，但3nm确实离我们不远了，还真的是可惜，我们没有参与资格，中芯国际还在14nm，只能看戏。
